车载产品辐射发射（RE）摸底超标了，整改到底从哪下手？滤波、屏蔽还是先查线束？
我们一个车载T-Box做辐射发射（RE）摸底，30~100MHz这一段超了差不多10dB，实验室说要么加屏蔽罩要么滤波。我们硬件组意见也不统一：有人说先换电源入口滤波电容，有人说把板子整个加屏蔽罩，还有人说就是线束没包好。RE超标整改一般有没有一个相对通用的排查顺序？CISPR 25 的车载限值到底严到什么程度？板子本身辐射和线束辐射怎么快速区分？
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30–100 MHz 超 10 dB，这个频段基本可以按"共模电流驱动线束当辐射天线"来假设，先别急着加屏蔽罩。
第一步是把能量源和辐射体分开。用近场探头（H 场小环）贴着板子扫，找 30–100 MHz 的峰值落点：如果峰值集中在 DC-DC 的开关节点、输入电容和 MOS 之间的环路、或者晶振/CAN 收发器附近，那是源；再把探头沿线束走一遍，如果线束中段场强明显高于板边，说明线束已经被激励成天线了。更定量一点的做法是按 CISPR 25 的电流探头法测线束共模电流，30–100 MHz 上共模电流有几个 μA 就足以让 1 m 线束辐射超标，这个数比电场读数更直接指向"该治谁"。
第二步是判断板辐射还是线束辐射，有个现场能做的粗糙办法：用同轴电缆把线束长度缩短或临时加共模电感，看峰值掉多少。掉得多，线束主导，整改重点在共模路径（Y 电容、共模电感、屏蔽层搭接）；几乎不掉，板辐射主导，得回去看最小回流环路。这个试验不能当正式结论，但定性够用。
30–100 MHz 上最常见的三个机理：一是 DC-DC 输入热环路面积大，di/dt 在环路里产生磁场，近场耦合到线束；二是开关节点 dv/dt 通过散热器/外壳的寄生电容形成共模电流；三是接地平面不连续，回流被迫绕路，共模电压抬起来。对应手段按性价比排：先改布局和回流（热环路缩到最小、开关节点铜箔面积压小、地平面上不要开槽跨分割），这一步不花钱但常能拿掉 3–6 dB；再加滤波，注意 30–100 MHz 以共模为主，要用共模电感 + Y 电容，X 电容在这个频段基本没作用，而且 Y 电容的接地引线电感会把它自己变成电感，必须短接到底平面；最后才是屏蔽罩。
屏蔽罩是最后手段，而且经常帮倒忙。罩子接地阻抗不够或只在四角点接，30–100 MHz 上会变成谐振腔，把某个频点抬高 6–10 dB；正确做法是罩子四周多点、低电感搭接到地平面，馈通处加穿心电容。另外提醒一句：CISPR 25 的限值分 Class 1–5，Class 5 最严，30–54 MHz 段（1 m 法）限值在 28 dBμV/m 量级，Class 3 是 40 dBμV/m 量级，先确认你们企标要求的是哪一档，别按错档位整改。复测一定要按标准布置：线束长度、负载模拟器、接地平板、天线距离都要复原，随手摆在暗室里测出来的数没有可比性。
Tina，电话/微信18675581258